2015年10月28日 09:30
AMATが超臨界流体を用いた次世代ウェハ乾燥技術を開示 - 半導体洗浄技術国際シンポジウム(後編)
東芝からは「ナノ構造の癒着への表面エネルギー低減の効果」と題する報告が行われた。まず、AMATと同様に、高アスペクト比の超微細構造が乾燥時に倒壊する現象を紹介した後、癒着してしまったナノ構造に表面張力を減じる溶液処理を施して表面エネルギーを減少させて元にもどす手法について、計算シュミレーションと実験で比較しながら論じた。AMATおよび東芝の講演より、超微細化競争の先端を走るNAND型フラッシュメモリの開発・製造の現場で、パターン倒壊の根本的対策が急がれていることがうかがわれる。
○次回の洗浄国際会議はNational Harborにて開催予定
なお、次回の会議は、2017年10月に米国の首都Washington DC近郊のNational Harbor(メリーランド州)で開催される。直近の洗浄国際会議は、2016年9月にベルギーでInternational Symposium on Ulrta Cleasn Processing of Semiconductor Surfaces(UCPSS 2016)が開催される予定だ。
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