ケースレー、SMUを含むパラメトリックカーブトレーサの機能拡張を発表

ケースレーインスツルメンツは、ハイパワーソースメータ(SMU)を含むパラメトリックカーブトレーサ(PCT)の機能拡張を発表した。

パワーMOSFET、IGBT、ダイオードなどのパワー半導体デバイスの特性を評価するには、オンステート(大電流の電流-電圧)、オフステート(高電圧の電流-電圧)、高いバイアス電圧における容量-電圧(C-V)など、さまざまな測定を行う。それぞれの測定には、異なったケーブル、コネクタ、プローブ(ウェハレベルのテストの場合)、またはテストフィクスチャ(パッケージデバイスの場合)が必要になるが、この3種類のテストを行うための、ハイパワー機器、インターコネクト、プローバ/テストフィクスチャを1つのテストステーションに組み合わせた、標準化されたソリューションはこれまで販売されていなかった。このため、1つの測定から別の測定に変更する場合、手作業で別のケーブルに交換し、被測定デバイスとテスト機器間の信号経路にある重要なハードウェアも交換する必要があった。中でも、高電圧C-Vテストは、標準もしくは信頼性のある測定セットアップ/手法が確立されていないため特に複雑で、試行錯誤しながら独自の接続ソリューションを開発しなければならなかった。これは費用や時間がかかるだけでなく、パワーデバイスのテストで高電圧出力になるため、安全性に欠ける作業環境になることがあるという。

パワー半導体のテストシステムを構築するテストエンジニアのために開発されたハイパワーインタフェースパネル「8020型」はコネクティビティが向上し、高電圧C-V(容量－電圧)などの複雑な測定が容易に行える。同製品を使用することで、セットアップ時間を短縮して接続ミスを防ぐことができる他、作業効率の改善やテスト・ハードウェアの保護ができるため、確実な測定結果が得られるという。

具体的には、システムのプローブステーション、ポジショナ、またはフィクスチャに合ったオプションを選択することができる。また、ユーザおよびローパワーソースメータの両方の安全性が向上し、さまざまな計測器の組み合わせが簡単に行える。さらに、信号経路への直列抵抗やバイアスティなどの追加が簡単にできる。そして、すべての計測器を一度に接続できるため、測定から測定への変更が簡単になり、接続を変更する必要がない。加えて、システムの3kVおよび200VチャネルでオプションのC-Vバイアスティと組み合わせると、高性能のI-V/C-Vスイッチとして機能するため、ケーブリングし直すことなくI-V、C-Vテストの両方が行える。

また、入力として同社のハイパワーソースメータである3kV対応の「2657A型」、および50A対応の「2651A型」、ソースメータの「2636B型」および「2612B型」、PCT-CVU型マルチ周波数C-Vメータが接続できる。さまざまなユーザ設定の出力コネクタが利用でき、ほとんどすべてのプローブステーションが接続できる。

さらに、PCT-CVU型マルチ周波数C-Vメータは10kHz～2MHzまでのC-V測定に対応しており、同社のPCTにアップグレードすることで、2または3端子の容量測定が行える。また、「8020型」は、新製品のバイアスティキット「CVU-200-KIT型」と組み合わせて使用するように設計されており、バイアス電圧を200Vまで拡張できる。そして、バイアスティキット「CVU-3K-KIT型」を使用すれば3kVまで拡張でき、「8010型」または他のハイパワーテストフィクスチャにおいてACとDCの両方のテストに対応できる。

この他、同社のACS Basicエディションコンポーネントテストソフトウェアの最新バージョン(V 2.1)を使用すると、パワーMOSFET、ダイオードなどのデバイスのI-V、C-V測定がサポートできるようになる。これにより、「8020型」と新製品のバイアスティキットによる拡張C-V測定が補完できる。

なお、価格は、パラメトリックカーブトレーサ「2600-PCT」シリーズが218万円(税抜き)から、ハイパワーインタフェースパネル「8020型」が50万8000円(税抜き)から。