三菱電機、「PV用大型ハイブリッドSiC DIPIPM」を発表
同製品はダイオード部に半導体と金属の接合部に生じるショットキー障壁を利用したダイオード「SiC-SBD」、トランジスタ部にCSTBT構造の第7世代IGBTを搭載したハイブリッド構造を採用。従来製品に比べ、電力損失を約25%低減し、インバーターシステムの低消費電力化を実現した。これらによりパワーコンディショナーの電力変換効率の向上が期待できる。
また、IGBTからコレクタ電流の数千分の1程度の電流を取り出し、その微小な電流を検出する方式を短絡保護機能に採用。定格電力が大きなシャント抵抗の外付けが不要となり、パワーコンディショナーのインバーターシステムの小型化を実現した。サンプル価格は2万円(税抜)。
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