EVG、パワーデバイスやMEMS向けに常温ウェハ接合装置を発表

EV Group(EVG)は、酸化膜を介さず導電性を持たせた常温直接接合を可能にする高真空ウェハ接合装置「EVG580 ComBond」を発表した。

シリコン基板上に、異なる特性をもったIII-V化合物半導体材料を組み合わせて電子デバイスを製造すると、より高いキャリア移動度によりデバイス性能を向上させることができる。また、シリコンを通して発光させることによって、光インターコネクトとルータを同時に可能するなど、新しい機能を実現することができる。しかし、従来のエピタキシャル成長プロセスによって異なる特性をもったIII-V化合物半導体材料を組み合わせると、格子定数および熱膨張係数(CTE)の違いにより、結晶の転移欠陥を発生させ、デバイス性能を低下させることになる。

このため、各半導体材料をそれぞれ最適な成長基板上に成長させ、その後ウェハ接合により組み合わせることによって、製造上の課題を軽減している。特に、常温直接接合は、CTEミスマッチによりさらに熱応力が発生する高温アニール工程の必要性がなくなることがメリットとされている。しかし、常温直接接合の課題の1つとして、接合界面の厚みと均一性の厳密な制御が維持できないことがある。