ST、スーパージャンクション型650V耐圧パワーMOSFETを発表

STMicroelectronicsは12月3日、生活家電用電源、低消費電力照明ならびに太陽光発電システム用の小型インバータなどにおいて、電力効率を向上させるスーパージャンクション型のパワーMOSFET「MDmesh M2」シリーズを発表した。

同シリーズは、先端のスーパージャンクション技術を採用しており、低ゲート電荷および低入出力静電容量に加え、従来製品よりも低いオン抵抗を実現している。また、これらの性能が、電力損失および熱損失をさらに低減するとともに、より高速かつ高効率のスイッチングを可能にする。さらに、一般的な600Vの製品よりも高い650Vのブレークダウン電圧によって、高い安全マージンが確保され、システムのロバスト性と信頼性の向上に貢献する。

そして、同シリーズで追加された高耐圧表面実装型パッケージのPowerFLAT 5x6 HVは、優れた熱特性と電流処理能力を、小型サイズで実現する。同パッケージにより、電力密度が向上し、信頼性を維持したまま高い出力を提供する次世代の小型設計が可能になる。中でも、太陽光発電システムの小型インバータに最適であり、高い効率を住宅・工業用の小型モジュールに提供するとしている。