NIMSと東大、原子層超伝導体に形成されるジョセフソン接合を発見

物質・材料研究機構(NIMS)と東京大学は12月11日、シリコン表面上に形成した原子レベル厚さの超伝導体において、原子1個分の高さの段差(原子ステップ)が超伝導電流の流れを制御するジョセフソン接合として働くことを発見したと発表した。

同成果は、NIMS 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点の吉澤俊介ポスドク研究員、内橋隆MANA研究者、中山知信主任研究者、川上拓人ポスドク研究員、古月暁主任研究者、東京大学 物性研究所のKim Howonポスドク研究員、長谷川幸雄准教授らによるもの。詳細は、米国物理学会誌「Physical Review Letters」にEditors’ Suggestionとして近日中に掲載される予定。

最近発見されたシリコン表面上の原子層超伝導体は、究極の微小サイズである原子スケール厚さの超伝導ナノデバイスを実現する可能性を秘めている。しかし、デバイス作製のためには、超伝導演算素子において不可欠な要素であるジョセフソン接合を作製する必要があり、その方法は未解決のままだった。

今回、研究グループは、走査トンネル顕微鏡を用いた実験と微視的な理論計算によって、原子層超伝導体の原子ステップに超伝導量子渦の一種であるジョセフソン量子渦という特殊な超伝導状態が発生することを発見した。