TI、オン抵抗が業界最小級のNチャネルパワーMOSFET製品11品種を発表

Texas Instruments(TI)は1月28日、ホットスワップやORing電源向けに、業界最小クラスのドレイン・ソース抵抗(Rdson)を実現したNチャネルパワーMOSFET製品11品種をNexFETのラインアップに追加したと発表した。

同製品群のうち、低電圧電池駆動機器向けで12V動作のFemtoFET「CSD13383F4」は0.6mm×1mmサイズの小型パッケージを採用しており、競合製品に比べてドレイン・ソース抵抗を84%低減している。また、NexFET MOSFET「CSD16570Q5B」と「CSD17570Q5B」は、コンピューティングサーバや通信機器向けで、大電流出力時の変換効率を向上させ、安全な動作を確保している。パッケージにはQFNを採用している。さらに、25V動作の「CSD16570Q5B」の場合は最大0.59mΩ、30V動作の「CSD17570Q5B」の場合は最大0.69mΩのドレイン・ソース抵抗をサポートする。この他、「CSD17570Q5B」を使った12V、60Aのホットスワップのリファレンスデザインも用意されている。

そして、「CSD17573Q5B」と「CSD17577Q5A」はDC/DCコントローラ「LM27403」との組み合わせにより、包括的な同期整流コンバータソリューションを提供する。加えて、「TPS24720」などのホットスワップコントローラとの組み合わせが可能。通過素子としてのトランジスタの選択法と、あらゆる動作条件下での安全動作の確保に関するアプリケーションノート「堅牢なホットスワップ回路の設計」もダウンロードできる。

なお、価格はFemtoFET「CSD13383F4」が1000個受注時で0.10ドルから、NチャネルパワーMOSFET「CSD16570Q5B」と「CSD17570Q5B」が同1.08ドルから。現在量産出荷中。