Infineon、低スイッチング周波数に最適化された低飽和電圧のIGBTを発表

Infineon Technologiesは、50Hz～20kHzの低スイッチング周波数に特化して最適化された低飽和電圧(VCE(sat))のIGBT「L5」ファミリを発表した。

同ファミリは、無停電電源(UPS)の他、太陽光発電システムや溶接システム向けのインバータなどのアプリケーションでの使用が想定されている。薄ウェハ技術「TRENCHSTOP 5」をベースとしており、キャリア分布のさらなる最適化により、導通損失がより削減されている。また、VCE(sat)のTyp.値は25℃で1.05Vと、高水準の効率化を実現しており、従来の「TRENCHSTOP IGBT」の代わりに同ファミリを使用した場合、NPC 1トポロジでは最大0.1%の効率化が、NPC 2トポロジでは最大0.3%の効率化が得られる。これに加え、VCE(sat)は正の温度係数を持っており、高効率性が維持されるとともに、並列接続は簡単で、周波数が20kHz未満のIGBTスイッチングの業界標準となる。そして、「TRENCHSTOP 5」の技術基盤は、低導通損失をもたらすだけでなく、総スイッチング損失も25℃で1.6mJまで抑えられる。これらにより、低スイッチング周波数アプリケーションのシステムで、効率と信頼性が向上し、小型化が実現するという。

なお、同ファミリは業界標準の3ピンTO-247パッケージ製品が第1弾として発表される。さらに、広範囲な効率化の要求されるアプリケーションを対象に、4ピンTO-247ケルビンエミッタパッケージも提供される。標準的な3ピンTO-247と4ピンTO-247のスイッチング損失を比較すると、20%低減できる。このため、「L5」と4ピンTO-247パッケージを組み合わせることで、最高水準の低導通損失と低スイッチング損失が得られることになるという。また、シングルIGBTとしての提供と、同社の超高速シリコンダイオードの「Rapid 1」と「Rapid 2」との同梱の形式により、30Aと75Aの電流クラスで提供される。そして、4ピンTO-247ケルビンエミッタパッケージ版は、75Aの電流クラスで提供される。