AMAT、FinFETトランジスタや3Dパターニング向けに電子ビーム測定装置を発表

米Applied Materials(AMAT)は2月23日(現地時間)、インライン3D CD SEM測定装置「Applied VeritySEM 5i」を発表した。

同装置は、高アスペクト比で複雑な表面形状を持つ3D NANDやFinFETデバイスの測定課題に対応、最先端の高解像度撮像技術と後方散乱電子(BSE)技術を通じて、インラインでの微細寸法(CD)制御に優れた力を発揮する。また、半導体メーカーのプロセス開発や生産立ち上げが迅速化され、量産に伴うデバイス性能と歩留り向上にも寄与するとしている。

具体的には、先進的な高解像度SEMコラムやチルトビーム、BSE撮像を駆使することで、FinFETや3D NANDにおける重要かつ複雑な構造のインライン測定とモニタリングに対応したユニークな3D測定機能を実現している。中でも、トレンチ内ビアの底部CDをBSE撮像する技術は、上下のメタル層との接続を確保する上で重要な役割を担っている。また、FinFETの側壁やゲートとフィンの高さの制御に少しでもばらつきがあると、デバイス性能や歩留りに悪影響が生じる。そこで、同装置ではチルトビームを利用して正確かつ再現性のあるインライン測定を行う。