アルバック、CMOS搭載MEMSデバイスを実現する低温PZTスパッタ技術を開発

アルバックは3月25日、次世代MEMSデバイスとして期待されるCMOS搭載MEMSデバイス向け量産対応低温PZTスパッタリング技術を開発したと発表した。

インクジェットプリンタのヘッドやカメラのオートフォーカス用アクチュエータなどの圧電MEMSには、圧電材料であるPZT(チタン酸ジルコン酸塩、Pb(Zr,Ti)O3)の薄膜が用いられているが、次世代技術として、そうした圧電MEMSとCMOS技術を融合することで、デバイスの高性能化・多機能化・小型化を図ろうという動きが活発化してきている。しかし、PZT薄膜の結晶化温度はスパッタリング法で600℃程度、Sol-Gel法では700℃程度と高温のプロセスが必要なため、500℃以下の低温プロセスが必要となるCMOSへの搭載が困難であった。

同技術は、「多種応用の異なった要求を同時満足する高性能の達成」、「LSI搭載可能の温度範囲でのプロセスの開発」、「高信頼性量産スパッタモジュールの実現」の3つを目標にして開発されたもの。独自技術の採用により、成膜温度はCMOSにも適用可能な485℃ながら、実用に耐えうるスループットとPZT薄膜の品質を実現したという。