ローム、1200V/300A定格のフルSiCパワーモジュールを開発
同モジュールは、同等電流定格のIGBTモジュール比でスイッチング損失を77%低減することに成功。これによりIGBTモジュール採用システムに比べて冷却機構の小型化が可能となるほか、高周波スイッチング動作を行うことで、コイルやキャパシタなどの周辺部品の小型化も可能になるという。
さらに大電流定格化によるスイッチング動作時のサージ電圧増大に対応するため、SiCデバイスの配置や内部パターンの最適化を図ることで、パッケージ内部のインダクタンスを従来品比でおよそ半減としたパッケージを開発。これにより300A定格の製品化を実現したとする。
なお、同モジュールはすでにサンプル出荷を開始しており、6月より量産出荷を開始する予定だという。
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