STマイクロ、低レベル飽和電圧を特徴とした1200V耐圧IGBTを発表

STマイクロエレクトロニクスは、低い導通損失、および最大8kHzのスイッチング周波数で少ないターンオフ損失を同時に実現することで、無停電電源装置、太陽光発電システム、溶接機、産業用モータ・ドライブなどの電力変換効率を向上させる第3世代のトレンチゲート・フィールドストップ技術を採用した1200V耐圧IGBT「Sシリーズ」を発表した。

同シリーズは、入手可能な1200V耐圧IGBTの中でも低いレベルの飽和電圧(VCE(sat))を特徴としており、少ない電圧降下と電力損失が温度管理の簡略化を実現するほか、正温度係数VCE(sat)のパラメータ分布のバラつきが小さく、高電力アプリケーションにおけるシンプルな並列接続も可能。また、ターンオフ時のサージ電圧と発振を抑え、外部回路の簡略化と部品点数の低減を可能とする。

さらに、短絡耐時間(接合部温度150℃時)を最小10μs保証、ラッチアップの発生しない動作、拡張された最大接合部動作温度(最大175℃)、および幅広い安全動作領域(SOA:Safe Operating Area)を実現しており、高い堅牢性と信頼性を実現したとする。

なお、同シリーズのIGBTは、定格電流が15A/25A/40Aの製品はTO-247パッケージ(標準または長リード)