Infineon、300Vのブロッキング電圧を実現した中耐圧MOSFETを発表
同製品は、高速ダイオード技術を採用することで300Vのブロッキング能力を実現したパワーMOSFETで、従来の同等品に比べ、逆回復電荷(Qrr)を70%抑えることが可能。これにより、ボディダイオードはスムーズに動作し、電圧オーバーシュートを最小限に抑えることが可能になるという。
また、高いのオン抵抗(RDS(on))を実現しており、競合製品比で性能指数(FOM:オン抵抗×ゲート電荷)は58%以上低くなると同社では説明している。
なお、同製品はオン抵抗が40.7mΩのD2PAK品とオン抵抗が41mΩのTO-220の2種類のパッケージですでに提供を開始しているという。
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