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東芝とサンディスク、48層3次元NANDフラッシュメモリをサンプル出荷へ

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東芝とサンディスク、48層3次元NANDフラッシュメモリをサンプル出荷へ
東芝と米SanDiskは、次世代NANDフラッシュメモリとなる256Gbit NANDチップを開発し、両社が共同で運営している三重県・四日市市の工場にてパイロット生産を開始したことを発表した。

新型となる「256Gbit X3 BiCS 3D NANDチップ」には、3bitセルのX3テクノロジ、48層BiCS(Bit Cost Scalable)テクノロジが用いられている。3D NANDは、セルを垂直方向に積層したNANDチップであることを示す。プロセスルールの微細化で大容量化を実現してきた従来の「2D NAND」と比較して、3D NANDは、書き換え耐久性や速度の向上、エネルギー効率の向上といった利点を持つ。

なお、3D NANDフラッシュメモリを採用した実際の製品としては、韓国のサムスン電子がすでに投入済み。一例として、コンシューマー向けの2.5インチSATA SSD「Samsung SSD 850 PRO」シリーズや「Samsung SSD 850 EVO」シリーズがある。

東芝とサンディスクこれを追いかける形となり、今回の「256Gbit X3 BiCS 3D NANDチップ」を採用した製品は、2016年以降、コンシューマー向けやエンタープライズ向け、モバイル機器向けなど、幅広い製品領域で出荷を開始する予定。東芝は、256Gbit 3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」として、9月からサンプル出荷を開始するとしている。

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