東芝、48層積層プロセス採用の32GB 3D NAND型フラッシュメモリを製品化

東芝は8月4日、48層積層プロセスを用いた256Gビット(32GB)の3ビット/セル(TLC)3次元(3D)フラッシュメモリ「BiCS FLASH」を開発し、9月よりサンプル出荷を開始すると発表した。

同製品は、先端積層技術となる48層積層プロセス技術を用いたほか、回路技術やプロセスの最適化を図ることで、従来の2次元NAND型フラッシュメモリと比べて大容量化を実現したほか、書き込み速度の高速化、および書き換え寿命の長寿命化を実現したという。

なお、同製品は同社の四日市工場第5棟にて製造を開始し、2016年前半に竣工予定の新・第2製造棟でも製造を行う予定とするほか、SSDやスマートフォン、タブレット、メモリカードなどのコンシューマ製品やデータセンター向けエンタープライズSSDなどに向けて提供していく予定としている。