東芝、48層積層プロセス採用の32GB 3D NAND型フラッシュメモリを製品化
同製品は、先端積層技術となる48層積層プロセス技術を用いたほか、回路技術やプロセスの最適化を図ることで、従来の2次元NAND型フラッシュメモリと比べて大容量化を実現したほか、書き込み速度の高速化、および書き換え寿命の長寿命化を実現したという。
なお、同製品は同社の四日市工場第5棟にて製造を開始し、2016年前半に竣工予定の新・第2製造棟でも製造を行う予定とするほか、SSDやスマートフォン、タブレット、メモリカードなどのコンシューマ製品やデータセンター向けエンタープライズSSDなどに向けて提供していく予定としている。
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