安川電機、フルSiCパワー半導体モジュールを搭載したマトリクスコンバータ

安川電機は8月26日、フルSiCパワー半導体モジュールを搭載した次世代マトリクスコンバータを開発し、同社の従来製品であるU1000よりさらに高効率な入出力電圧電流正弦波ドライブを実現したと発表した。

安川電機はこれまで、2005年に世界で初めてマトリクスコンバータを製品化、2014年にはその後継となるU1000を製品化し、入力電流高調波の抑制、回生エネルギーの有効利用などを可能としてきた。今回は高速スイッチング、かつ低損失動作が可能なSiCを用いたパワー半導体をデバイスメーカーと協同で開発し、同社のマトリクスコンバータドライブシステムの回路や構造の技術ならびに新開発の入出力フィルタおよび出力電圧制御技術を組み合わせることで、入力電流および出力電圧の歪みが5%以下かつ最大変換効率が98%以上の入出力電圧電流正弦波ドライブを実現した。

なお、同技術の詳細は9月2日～4日まで大分大学で開催される「平成27年度電気学会産業応用部門全国大会」で発表される予定で、安川電機は2年以内の製品化を目指すとしている。