ST、スーパー・ジャンクション型の1500V耐圧パワーMOSFETを発表
同ファミリは、同社のスーパー・ジャンクション技術のメリットと、1500Vのドレイン・ソース間ブレークダウン電圧を組み合わせた製品群で、単位面積あたりのオン抵抗(R(ds(on)))およびゲート電荷(Q(g))を低く抑えることで、高いFoM(Figure of Merit:性能指数)を達成したとする。
すでにドレイン電流7A品ならびに14A品の2製品の量産出荷が開始されており、いずれもTO-247パッケージで提供される。単価は、1000個購入時で約14ドルとしており、アジア、欧州、米国の主要顧客より、受注獲得済みだという。
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