日本IBMなど、300mmウェハ対応の半導体高密度実装用パンプ形成技術を開発

JSR、日本アイ・ビー・エム(日本IBM)、千住金属工業の3社は12月9日、300mmウェハ対応の半導体高密度実装用バンプ形成技術「Injection Molded Solder(IMS)」を開発したと発表した。

IMSはウェハ上にレジストで形成したマスクの開口部に溶融はんだを「IMSヘッド」で直接注入し埋め込むことによって、微細なはんだバンプを形成する方式。同技術はIBMが開発したもので、マスク開口部分のサイズに応じて微細なはんだバンプを信頼性高く低コスト・グリーンなプロセスで形成することができる。

従来は200mmウェハ向け試作装置に留まっていたが、今回、JSRが高解像性を維持したまま溶融はんだを直接埋め込む高温プロセスに耐えるレジスト材料を、千住金属工業が溶融したはんだ材料を300mmウェハに埋め込む時の精緻な圧力・温度制御を実現できる装置を開発したことで、300mmウェハ対応が実現した。

なお、12月16日～18日に東京ビッグサイトで開催されるSEMICON Japan 2015では、300mmウェハ対応のIMS装置とレジスト材料を3社が共同出展する予定となっている。