東芝と東大、世界最高の省電力性能を有するプロセッサ用メモリ回路を開発

新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は2月1日、同機構のプロジェクトにおいて、65nm世代のシリコントランジスタに混載した4Mビットクラスの新方式磁性体メモリ(STT-MRAM)回路において、3.3nsというキャッシュメモリとして十分に高速なアクセス時間、ならびに揮発性メモリ(SRAM)と比較して消費電力10分の1以下という低消費電力化を実現したと発表した。これは、キャッシュメモリとして世界最高の電力性能であるという。

同成果は、同プロジェクトに参画する東芝と東京大学 情報理工学系研究科 中村宏 教授らの研究グループによるもので、1月31日～2月4日に米サンフランシスコで開催される半導体回路国際会議「ISSCC 2016」において、2月2日(現地時間)に発表される。

同機構は、不揮発性メモリを利用して、コンピュータの非動作時に積極的に電源をオフして省電力化を図る「ノーマリーオフコンピューティング基盤技術開発」プロジェクトを推進している。コンピュータのキャッシュメモリに使われるSRAMのような高速メモリは揮発性メモリであるため、データの保持を考えると電源オフができない一方で、今までの不揮発性メモリでは高速化が実現できていない。