ST、スーパージャンクション技術「MDmesh DM2」採用のパワーMOSFETを発表
同ファミリは、ファストリカバリダイオードを内蔵し、最大650Vのブレークダウン電圧に対応するスーパージャンクション型の幅広い製品から構成されており、低ゲート電荷、入力静電容量および抵抗、内蔵ファストリカバリダイオードの低い逆回復電荷および逆回復時間、ソフトスイッチ性能などといった多様な技術特性を組み合わせている。
同パワーMOFSETは現在入手可能で、各種パッケージ/ブレークダウン電圧を選択することが可能となっている。
提供元の記事
提供：
関連リンク
-
new
高級寿司で…「貧乏人は食うなｗ」他の客を追い出す男！？しかし後日、知らなかった“客の正体”に青ざめて…
-
new
NTV ドラマDEEP『そこから先は地獄』主演をはじめ、『MORE』専属モデルや『おしゃれクリップ』MCなど幅広く活躍中の井桁弘恵が所属するボックスコーポレーションが新人を募集「2025年ヒット＆ブレイク特別オーディション」
-
石原伸晃、妻が元俳優だった 『サンジャポ』特番で35年ぶりテレビ出演
-
new
コミケ初日、コスプレ広場は“大盛況” ファンの賑わいが公開
-
new
「経営者は自由ね（笑）」嫁に“イヤミ”を言う義母。しかし直後⇒孫の【核心を突く一言】に…親戚の前で赤っ恥！？