ラピス、エラー訂正符号回路内蔵の車載/産業機器用128Mbit NOR Flashメモリ

ラピスセミコンダクタ(ラピス)は3月29日、車載機器や産業機器のデータ記憶媒体用の128MビットNOR Flashメモリ「MR29V12852B」を開発したと発表した。

信頼性の高いシステムを構築するためには、ビットエラーを低減するビットエラー訂正機能や、周辺回路へのノイズ対策を考慮した基板設計、部品配置とその評価が必要とされている。これまでシステムにビットエラー訂正機能を具備するには、従来メモリ品に加えてエラー訂正符号回路と訂正符号用の検査語メモリの追加が必要であった。

同LSIは、ビットエラー対策としてエラー訂正符号回路と、訂正符号用の検査語Flashメモリを内蔵しているため、ビットエラー訂正機能追加時に必要な部品の追加が不要。また、一般的なNOR Flashメモリ品と互換性があるため、同LSIへの置き換えが容易で、現行システムに追加部品なしで、ビットエラー訂正機能を備えたシステムを構築することが可能となる。

また、NOR Flash動作時に発生する基板上輻射ノイズの低減、およびインピーダンスマッチングによるリードデータ出力波形の特性改善のため、データ出力時の電流駆動能力を変更する出力ドライバビリティ調整回路を搭載している。