東芝、最新世代15nmプロセスのNANDフラッシュメモリを量産開始
今回のNANDフラッシュメモリは、2bit/セルの128Gbit(16GB)製品となる。現行世代の製品と比較して、書き込み速度はほぼ同等だが、高速インタフェース仕様を採用することによって、データ転送速度が1.3倍に向上したという(533Mbit/秒)。
さらに東芝では、15nmプロセスを用いた3bit/セルのNANDフラッシュメモリについても、2014年の第1四半期中の量産開始を計画している。同時に開発している高性能NANDコントローラを組み合わせることで、スマートフォンやタブレットPCなどへの搭載、そしてSSDの開発によるノートPCなどへの搭載を展開する考え。
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