水溶液ミストで窒化銅(Cu3N)薄膜を低温・低コスト・大面積形成　7月9日にJST新技術説明会でオンライン公開

工学院大学(学長：今村 保忠、所在地：東京都新宿区／八王子市)の山口 智広 教授(応用物理学科)は、水溶液ミストから高品質な窒化銅(Cu3N)薄膜を低温・低コスト・大面積で形成する技術を開発しました。錯体構造制御Mist CVDに基づき、銅粉末とアンモニア水にHacac(アセチルアセトン)を加えた簡便・低コストな前駆体を設計し、Cu3N薄膜の高品質化を実現した点が特徴です。
2026年7月9日にオンライン開催されるJST新技術説明会(主催：国立研究開発法人科学技術振興機構(JST)、工学院大学)において最新研究成果と産業応用の可能性を企業に向けて紹介し、社会での技術活用を進めます。

■本技術の要点
・水溶液ミストを用いて、Cu3N薄膜を低温・低コスト・大面積で形成
・錯体構造制御に基づく簡便・低コストな前駆体設計により、高品質化を実現
・半導体デバイスやセンサー材料など、電子デバイス関連分野への応用に期待


図表

Cu3N薄膜は、半導体デバイスやセンサー材料などへの応用が期待される機能性薄膜材料です。従来、高品質なCu3N薄膜の形成には、スパッタやMBEなどの真空法が用いられてきました。これらの手法は高品質なCu3N成長が可能である一方、真空環境下での成膜を前提とすることなどから、コストや成膜温度、大面積化に課題がありました。
今回の成果では、水溶液ミストを用いるミスト化学気相堆積(Mist CVD)法に、錯体構造制御に基づく前駆体設計を組み合わせています。本技術は、低コストな前駆体設計と、低温・大面積成膜、高品質化を合わせて実現できる点に強みがあります。

将来的には、低温形成トランジスタやCu配線形成、太陽電池・光電変換デバイス、センサー材料などへの展開も想定されています。低温・低コスト・大面積でCu3N薄膜を形成できる技術として、電子デバイス関連分野での活用が期待されます。

■特許情報
発明の名称： 窒化銅膜の製造方法、銅膜の製造方法、
及び、窒化銅前駆体組成物
発明者 ： 山口 智広、永井 裕己、佐藤 光史、杉田 直樹、涌井 皇輝
出願人 ： 学校法人 工学院大学
出願番号 ： 特願 2026-060645

■工学院大学 新技術説明会 開催概要
日時 ： 2026年7月9日(木) 9：55-11：55
開催場所： オンライン開催
主催 ： 国立研究開発法人科学技術振興機構(JST)、工学院大学
参加料 ： 無料
事前申込： 必要
申込先 ：https://shingi.jst.go.jp/list/list_2026/2026_kogakuin.html

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プレスリリース提供元：＠Press