Infineon、低スイッチング周波数に最適化された低飽和電圧のIGBTを発表

Infineon Technologiesは、50Hz～20kHzの低スイッチング周波数に特化して最適化された低飽和電圧(VCE(sat))のIGBT「L5」ファミリを発表した。

同ファミリは、無停電電源(UPS)の他、太陽光発電システムや溶接システム向けのインバータなどのアプリケーションでの使用が想定されている。薄ウェハ技術「TRENCHSTOP 5」をベースとしており、キャリア分布のさらなる最適化により、導通損失がより削減されている。また、VCE(sat)のTyp.値は25℃で1.05Vと、高水準の効率化を実現しており、従来の「TRENCHSTOP IGBT」の代わりに同ファミリを使用した場合、NPC 1トポロジでは最大0.1%の効率化が、NPC 2トポロジでは最大0.3%の効率化が得られる。これに加え、VCE(sat)は正の温度係数を持っており、高効率性が維持されるとともに、並列接続は簡単で、周波数が20kHz未満のIGBTスイッチングの業界標準となる。そして、「TRENCHSTOP 5」の技術基盤は、低導通損失をもたらすだけでなく、総スイッチング損失も25℃で1.6mJまで抑えられる。