OEG、パワー半導体向けロックイン赤外線発熱解析サービスを拡充
OEGでは、2013年より発熱を利用した故障位置特定手法である「ロックイン赤外線発熱解析サービス」を提供してきたが、印加可能なバイアス電圧が±210Vであったため、それ以上の高圧時に漏れ電流が大きくなる故障モードのパワー半導体に対しては故障解析に必要な高電圧印加ができなかった。
今回、OEGは試験設備を改良・増設し、解析時の印加可能電圧をこれまでの±210Vから、±3000Vに拡大。これにより、パワー半導体の高電圧下での微小リークなどの故障位置特定が可能となった。さらに、これまで提供していたロックイン赤外線発熱解析とX線検査、電気的特性評価、パッケージの開封、着脱などの加工を総合的に行う故障解析サービスシステムについても、印加電圧を同様に拡大し提供するとしている。
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