TowerJazz、30Vデバイス向け低オン抵抗0.18μmパワープロセスを発表

TowerJazzは11月17日、30Vデバイス向け9mΩ-mm2のオン抵抗の0.18μmパワーマネジメントプロセスを発表した。

同社は、この低オン抵抗プロセスは現在のパワー半導体市場の40%を対象としたもので、これを用いることで、パワーICの高効率化、低消費電力、温度上昇の低減、フォームファクタの小型化に貢献するとしている。

また同社は、同技術を活用することで、カスタマはチップサイズとパフォーマンスの最適化を図ることが可能となり、各社が注力するアプリケーション分野における競合他社に対する優位性を想像することが可能となり、TowerJazzとしても、IDMが独占するパワーマネジメントIC市場においてIDMと効果的に競争ができるようになるとコメントしている。