2015年3月26日 20:17
東芝、世界初となる48層積層プロセスの3次元フラッシュメモリ
東芝は26日、48層積層プロセスを用いた128ギガビットの2ビット/セル3次元フラッシュメモリを、世界で初めて開発したと発表した。同日よりサンプル出荷を開始する。
48層積層プロセスを用いたフラッシュメモリ。現行製品と比べ、書き込み速度の高速化、書き換え寿命など、信頼性向上を実現している。2016年前半に竣工予定の同社四日市工場新・第2製造棟でも生産を行う予定。SSDを中心に、市場ニーズに合わせて展開するという。
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