くらし情報『産総研など、半導体ダイオードより3倍高感度なスピンダイオードを開発』

2013年10月22日 10:02

産総研など、半導体ダイオードより3倍高感度なスピンダイオードを開発

産総研など、半導体ダイオードより3倍高感度なスピンダイオードを開発
産業技術総合研究所(産総研)と大阪大学は10月21日、半導体ダイオードの性能を上回る、ナノサイズの磁石を用いたスピントルクダイオードを開発したと発表した。

同成果は、大阪大学 基礎工学研究科の三輪真嗣助教、石橋翔太氏(当時:博士前期課程2年)、鈴木義茂教授、冨田博之博士研究員、田村英一特任教授、安東健氏(当時:博士前期課程2年)、水落憲和准教授らによるもの。産総研 ナノスピントロニクス研究センターの野崎隆行主任研究員、猿谷武史氏(現:キヤノンアネルバ)、久保田均研究チーム長、薬師寺啓主任研究員、谷口知大研究員、今村裕志研究チーム長、福島章雄副研究センター長、湯浅新治研究センター長と共同で行われた。詳細は、英国科学雑誌「Nature Materials」のオンライン速報版に掲載された。

電子の持つ磁石の性質であるスピンを利用するスピントロニクスの実用化に向けた研究開発が活発に行われている。HDDの読み取りヘッドでは、磁石の磁極の向きにより抵抗値が変化するトンネル磁気抵抗効果がすでに利用されている。また、磁石の磁極が有する不揮発性を利用したMRAMも実現しており、既存の半導体RAMを置き換えるために高密度化に向けて開発が進められている。

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