栃木県小山市出身の版画家・小口一郎(こぐち・いちろう/1914-1979)の全貌を紹介する展覧会が、2023年1月21日(土)から3月26日(日)まで、宇都宮市の栃木県立美術館で開催される。小口のライフワークとなった足尾鉱毒事件を主題とした作品群の全点が一堂に会する貴重な機会だ。1946年に日本美術会の北関東支部の活動に参加し、本格的に木版画を手がけるようになった小口は、足尾鉱毒事件とその問題を追及し続けた政治家・田中正造(1841-1913)の存在を知って大きな衝撃を受け、広く世に伝える方法を模索し始めたという。足尾鉱毒事件とは、明治初期から足尾銅山の開発が急激に進められた結果、周囲の環境と住民の健康に多大な被害を及ぼした公害事件。田中正造は、明治天皇に直訴を試みるなど、生涯を鉱毒反対運動に捧げたが、当時は加害者決定には至らなかった。一方、鉱毒が流出した渡良瀬川に遊水池を造営するために強制廃村となった谷中村や流域の農民たちは、北海道開拓移民として佐呂間の原野にわたり、その地で「栃木集落」を形成することになる。展覧会タイトルの『二つの栃木』は、栃木県と北海道の栃木集落を意味する。この事件を丹念に取材した小口は、鉱毒被害に苦悩する旧谷中村の農民たちと田中正造を主題とした《野に叫ぶ人々》(1969年)、厳寒の佐呂間へ移住した人々の生活と帰郷への思いを描いた《鉱毒に追われて》(1974年)、足尾銅山の坑夫たちの労働問題を取り上げた《盤圧に耐えて》(1976年)を、3部作の連作版画としてまとめ上げた。今回の展覧会の大きな見どころは、小口の代表作となったその連作がすべて並ぶことにある。栃木集落の住民の希望者が栃木県への帰郷をはたしたのは、50年前の1972年のこと。小口自らが帰郷運動の世話役を務め、架け橋となったという。1972年はまた、栃木県立美術館の開館年でもあり、同展は開館50周年を記念して企画された。小口一郎研究会の全面的な協力を得て、油彩画や他の版画作品も合わせた約300点で、小口一郎の生涯に光を当てる意義深い展観となる。小口一郎《大樹》1948年小口一郎研究会蔵小口一郎《海の声》1976年小口一郎研究会蔵小口一郎《「鉱毒に追われて」より35.帰郷》1971-73年小口一郎研究会蔵小口一郎《「野に叫ぶ人々」より不滅の余光(その二)》1970年頃小口一郎研究会蔵小口一郎《谷中一景》1959年栃木県立美術館蔵小口一郎《坂道》1954年栃木県立美術館蔵小口一郎《ねこ》1954年栃木県立美術館蔵<開催情報>『「二つの栃木」の架け橋小口一郎展 足尾鉱毒事件を描く』会期:2023年1月21日(土)~3月26日(日)会場:栃木県立美術館時間:9:30~17:00(入館は16:30まで)休館日:月曜料金:一般900円、大高600円公式サイト:
2023年01月06日東北大学と大阪大学の研究グループは、従来の物質とは全く異なる新しい状態をもつトポロジカル絶縁体と普通の金属を接合させることによって、普通の金属にトポロジカルな性質を付与する「トポロジカル近接効果」という新しい現象を発見し、質量のない高速のディラック電子をトポロジカル絶縁体の外に取り出すことに成功したと発表した。同研究グループは、東北大学大学院理学研究科の佐藤宇史准教授、同原子分子材料科学高等研究機構の高橋隆教授、大阪大学産業科学研究所の小口多美夫教授、および同研究所の安藤陽一教授らが参加。同成果は、次世代省エネルギー電子機器を支えるスピントロ二クス材料技術とその産業化に大きく貢献することが期待される。今回の開発で、東北大学と大阪大学の共同研究グループは、2010年に同グループが発見したTlBiSe2(Tl:タリウム、Bi:ビスマス、Se:セレン)というトポロジカル絶縁体の上に、2原子層のBi超薄膜を接合し、スピン分解光電子分光という手法を用いて、ディラック錐とBi超薄膜のエネルギー状態を高精度で調べた。その結果、Bi超薄膜によってディラック錐のエネルギー状態が劇的な影響を受け、もともとトポロジカル絶縁体の表面に局在していたディラック電子がBi側に移動する「トポロジカル近接効果」が起こっていることを初めて突き止めました。今回の発見は、「トポロジカル絶縁体のディラック電子は表面に束縛されて結晶外に取り出せない」というこれまでの常識を覆すとともに、「トポロジカル表面状態を実空間で操作する」という、全く新しい概念を提案するもの。今後、トポロジカル近接効果を積極的に活用する事で、例えば、ありふれた金属にトポロジカルな性質を意図的に付加して、スピントロニクス素子の性能を格段に向上するといった応用が期待される。また、今回の成果を基にさまざまなトポロジカル物質の開発が進めば、トポロジカル絶縁体を利用した次世代省エネデバイスの実現に向けての研究が大きく進展すると期待される。なお、同成果は、英国科学雑誌「Nature Communications(ネイチャーコミュニケーションズ)」オンライン版で公開されている。
2015年03月16日東北大学は1月29日、ビスマス(Bi)金属薄膜の端(エッジ)で、電子の運動方向と連動してスピンの向きが揃うラシュバ効果が起きていることを突き止めたと発表した。同成果は、同大 原子分子材料科学高等研究機構の高山あかり研究員(現 東京大学大学院 理学系研究科 助教)、高橋隆教授、同大大学院 理学研究科の佐藤宇史准教授、大阪大学 産業科学研究所の小口多美夫教授らによるもの。詳細は、米国物理学誌「Physical Review Letters」のオンライン版に掲載された。ラシュバ効果は、磁石の性質を持っていない物質でも、電子のスピンの向きを揃えることができるため、次世代スピントロニクスデバイスの動作メカニズムとして注目されている。これまで、さまざまな物質で薄膜表面のラシュバ効果は観測されており、それを利用した素子の作成も研究されているが、ラシュバ効果が表面や界面などの2次元面で発生する現象であることから、小型化には限界があると考えられていた。研究グループは、スピン分解光電子分光法という手法を用いて、Bi金属薄膜の電子スピン状態の観測を試みた。重い金属であるBiは、その表面において強いラシュバ効果を示すことが知られていたが、今回、Bi原子層薄膜の最表面のエッジ構造に着目して測定を行った。エッジ構造は、試料全体から見るとほんの少ししか存在しないため、これまで観測することが非常に難しいとされていたが、高感度のスピン分解光電子分光装置を用い、試料作成方法を工夫することで、エッジ構造の電子スピン状態の観測に成功した。その結果、エッジに存在する電子がラシュバ効果を示し、さらにその大きさがこれまで観測されていた表面でのラシュバ効果よりも大きいことを発見した。今回の研究で観測されたエッジでのラシュバ効果は、表面でのラシュバ効果よりも少ない電力で特定方向にスピンを揃えることができ、1次元のエッジでスピンの方向が制御できるため素子の小型化が期待できるなど、小型で省エネルギーなスピントロニクス素子の開発に道を拓くものであるとコメントしている。
2015年02月02日