ルネサス、高信頼性を有するAdvanced LP SRAMの8Mビット品を発表

ルネサス エレクトロニクスは12月11日、Advanced Low Power SRAM(Advanced LP SRAM)の新製品として、110nmプロセスを採用した8Mビット品「RMLV0816B/0808Bシリーズ」合計5品種を発表した。

Advanced LP SRAMは、メモリセルの記憶ノードにキャパシタを付加しているため、ソフトエラー耐性が高い構造になっている。一般的なソフトエラー対策としては、発生したソフトエラーをSRAMやユーザーシステム内部に組み込んだECC(Error Correcting Code)回路で訂正する方法があるが、ECCの性能によっては複数ビットのエラーを訂正できないなど、エラー訂正に限界が生じる。そこで、Advanced LPSRAMではソフトエラーの発生そのものを抑制する構造的対策を講じており、現在量産している150nmプロセスAdvanced LP SRAMのシステムソフトエラー評価結果からも、実質ソフトエラーフリーと言える耐性を確認しているという。

また、SRAMセルのロードトランジスタ(Pチャネル)をpoly-Si TFTで形成し、シリコン基板上に形成されたNチャネルMOSトランジスタの上層に積層されるため、下地のシリコン基板上にはNチャネルトランジスタのみで形成されている。