くらし情報『TI、80VハーフブリッジGaN FETモジュールのプロトタイプを発表』

TI、80VハーフブリッジGaN FETモジュールのプロトタイプを発表

2015年3月17日 13:42

マイナビニュース

6mm×8mmのQFNパッケージは使いやすく、アンダーフィルが不要なため、製造が大幅に簡素化される。こうしたサイズの低減によりGaN技術の持つメリットが高まり、高周波ワイヤレス充電器から、48Vの通信や産業機器の電源設計に至るまで、多数の用途でGaN電源ICの普及を可能にする。

同製品のサンプルは販売中で、参考価格は50ドル、最大注文可能数量は10個。評価モジュールは参考価格299ドルで提供している。
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