アルバック、CMOS搭載MEMSデバイスを実現する低温PZTスパッタ技術を開発

具体的には、通常のスパッタリングプロセスでは下部電極層の形成の後、圧電層の形成という順であったが、新たにその間にバッファ層を形成するプロセスを入れることで、低温化を実現したという。この結果、PZT薄膜の膜厚2.0μmにおける電気特性は圧電定数(e31):-17C/m2、絶縁耐圧:±100V、サイクル特性:<1011回を達成しており、PZT薄膜において世界最高レベルの性能を量産条件で確認したとする。

なお、同社の既存スパッタリング装置「SME-200」に組み合わせることが可能な同技術を採用した専用チャンバもすでに開発済みで、2015年末には出荷を開始する計画としている。