AMATとA*STAR、シンガポールに先進半導体技術の共同研究開発施設を設置
同施設は、次世代のロジックやメモリの製造に向けた半導体技術の開発を行うことを目的に、両者が合計で1億5000万シンガポールドルを出資する形で設立されるもの。広さ400m2のクラス1クリーンルームがA*STARの新R&D複合施設「フュージョノポリス2(Fusionopolice Two)」内に新たに設置され、AMATが新規に設計、製造した半導体装置を導入し、研究者や科学者60名が、A*STAR傘下のほかの研究所とも連携して研究を行っていく予定。
具体的には、A*STAR傘下のマイクロエレクトロニクス研究所(IME)、材料研究・工学研究所(IMRE)、ハイパフォーマンスコンピューティング研究所(IHPC)が、低欠陥プロセス、極薄膜材料、材料分析・特性評価、多分野にまたがるモデリング/シミュレーションなどの研究に協力する予定だという。また、同施設は、シンガポール経済開発庁からも支援を受けているとのことで、開発された製品は、AMATがシンガポールで製造することになる予定。このほか、AMATでは、シンガポールシンクロトロンライトソース(SSLS)に設置されたシンクロトロンを使って実験を行うとともに、シンガポール国立大学と協力して半導体用の新たなビームラインを開発する予定で、こちらの設置にあたっては、シンガポール国立研究財団(National Research Foundation)が資金援助を行う予定だという。
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