IDT、超高線形性・内部整合型の次世代広帯域RF VGAを発表
同製品は、独自のGlitch-Free技術を応用したデジタル・ステップ・アッテネータとZero-Distortion技術を5mm×5mmパッケージに封入することで高いRF性能を実現。また、GaAsデバイスでは外部整合を必要とし、2次なだれが遅れてしまう可能性があったが、同製品では耐湿性に優れ、静電気放電(ESD)からの保護が強化されているため、より堅固で高い信頼性を実現したという。
なお、性能としては、最大利得13dBで+41dBmのOIP3、1dB刻みで23dBの利得制御範囲、4dBの雑音指数を達成しながら、100mAの消費電流を達成したとしている。
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