ST、ガルバニック絶縁を内蔵したゲートドライバを発表

STMicroelectronicsは12月16日、ガルバニック絶縁とアナログロジック回路を1チップに集積したシングルチャネルゲートドライバ「STGAP1S」を発表した。

同製品は、STの次世代ゲートドライバ「gapDRIVE」の最初の製品であり、独自のプロセス技術であるBCD(バイポーラ・CMOS・DMOS)に、チップ上に絶縁層を生成する技術を組み合わせることで、より高度なシステム統合を実現している。さらに、同製品の高耐圧レールは、その他の回路に干渉することなく最大1500Vまで対応できるため、産業機器、600V/1200Vの高電圧インバータ、太陽光発電システム用インバータ、無停電電源装置に適したロバスト性を備えている。

また、信号伝播遅延時間を100nsに抑えており、高精度PWM信号の伝送が可能なのに加え、集積されているドライバ段は、最大5Aのシンクまたはソース電流とレールツーレール出力に対応しており、大型IGBTやワイドバンドギャップのSiC MOSFETなどのパワースイッチに使用される負駆動電圧を可能とする。そして、±50V/nsを超える高いコモンモード過渡電圧耐性により、絶縁層での通信の信頼性と、安全な動作が確保されている他、独立したシンク出力とソース出力が、設計の柔軟性を向上させると同時に、外付け部品の削減に役立つという。