infineonとIRが初の共同出展、GaNデバイスなどを披露 - TECHNO-FRONTIER 2015

はパワーデバイス専業の半導体ベンダーとして従来から知られていた。半導体業界全体における知名度こそインフィニオンに比べて低いものの、パワー半導体の世界における技術力はトップクラス。シリコン技術はもちろん、パッケージ技術でも独自開発の優れた要素技術を擁していた。両社が統合することは、自動車や電源などの応用分野で非常に強力なパワー半導体サプライヤが誕生することを意味する。

パワー半導体は本来、アナログ半導体に分類されるが、最近はデジタル技術の取り込みが進んでいる。マイコンでパワー半導体を制御したり、通信ネットワークを介してパワー半導体を制御したり、デジタル制御理論によってパワー半導体を駆動したりすることが、もはや当たり前になってきたのだ。パワー（アナログ）とコントロール（デジタル）と通信（デジタル）、以上3つの融合が、半導体ベンダーの将来を左右するといっても過言ではない。その意味ではインフィニオンとIRの双方にとって、この事業統合はメリットがあるといえよう。

○窒化ガリウム（GaN）FETで電源の品質と効率を向上
5月20日～22日に千葉県の幕張メッセで開催された展示会「TECHNO-FRONTIER 2015」