米IDTと米EPCが窒化ガリウム・シリコン融合モジュールの共同開発に着手

コンソーシアム プロトコルの高共鳴ワイヤレス電力伝送規格の動作周波数は、6.78MHzであり、GaNの高速かつ低損失スイッチング機能により、有線と同レベルの効率が実現できるという。

高周波(RF)でも、両社は通信インフラ市場のRF製品群を共同で構築する予定であるが、正本計画は、今後、具体化する。

「IDTのような革新的な企業では、シリコンの限界回避策として実績のあるGaN技術を各社ソリューションに組み込む事例が増えています。われわれは、EPCの高速で効率のよいGaN技術をIDTの顧客に届けるため、IDTの技術者とともに仕事をするのを楽しみにしています」と、EPCのCEO兼EPC社共同創設者のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は述べている。彼は、独Infineon Technologiesに最近買収されたInternational Rectifier(IR)の創業者である故Eric Lodowの子息で、IRのCEOを務めていたが、2007年にIRの仲間とともにスピンアウトしEPCを創業した。EPCはGaNデバイス専業のファブレス・ベンチャー企業で、エンハンストモードGaN-on-Si(eGaN)