米IDTと米EPCが窒化ガリウム・シリコン融合モジュールの共同開発に着手

米Integrated Device Technology(IDT)は、6月2日、高速・高効率半導体素材であるGaN(窒化ガリウム)ベースのデバイス技術を米Efficient Power Conversion(EPC)と共同で開発すると発表した。通信・コンピューティング、ワイヤレス給電。高周波(RF)の3分野で、IDT製品にEPCのGaNデバイスを組み込み、高速・高効率化を図る。

通信・コンピューティング部門では、GaNの低容量およびゼロQRRをチップスケールパッケージの低インダクタンスと組み合わせることで、高周波・高効率が得られる。EPCのGaN技術とIDTの高精度な通信およびシステム化ノウハウと組み合わされることで、電力密度を向上し、通信・コンピューティングインフラに高い競争優位性がえられるとしている。ワイヤレス給電分野に関しても、EPCのGaNのノウハウとIDTの高効率を実現する高精度ソリューションを組み合わせることで、ワイヤレス給電はさまざまなところで使用できるようになり、高効率で費用対効果の高いソリューションを実現できる。

A4WP(Alliance for Wireless Power)