米IDTと米EPCが窒化ガリウム・シリコン融合モジュールの共同開発に着手

FETを世界で最初に実現したことで知られる。同社は、製造は台湾のGaNファウンドリに委託しつつ、企画とデバイス設計を行っており、航空宇宙応用からオーディオアンプへの応用に至る広範囲の用途向けのGaNを販売している。同氏は電力管理用GaNデバイスの普及に尽力し、「GaN Transistors for Efficient Power Conversion、2nd edition (wiley 2014年)」などの啓もう書の編著者としても知られているが、高速・高効率GaNデバイスのさらなる普及のためにパートナーをさがしていた。GaNとSiデバイスを融合させ、従来のシリコンベースの電子システムに一部GaNを採用しさらに高速・高効率・低消費電力化を目指す今回の協業に業界関係者は注目している。