ベルギーimecがGaN-on-Si開発を本格化 - GaNパワーデバイスの少量受託生産も開始

ベルギーの独立系半導体研究機関imecは8月12日(現地時間)、次世代の高効率・小型電力変換を可能にする200mmシリコン基板上のGaN(GaN-on-Si)エピタキシャル成長技術およびエンハンスメント型デバイス(図1)の研究開発を強化すると発表した。同時に、同社の200mmクリーンルーム棟(図2)に設置された研究・試作ラインでファブレス企業からのGaNデバイスの少量受託生産も始める。

imecではすでにGaNエピタキシャル成長技術やCMOSコンパチブルGaNプロセス技術を開発しており、産業提携プログラム(imec Industrial Affiliation Program:IIAP)を通してメンバー企業に技術供与を始めている。今後は、基板の高品質化、デバイスの高性能化と高信頼化、デバイス構造革新(主流の横型に対して縦型化)に向けた研究開発に取り組む。

降伏電圧などの電気特性を最適化するため、imecでは3種類のバッファ層(AlGaN/超格子/低温AlN)を採用している。同社はMIS HEMTやp-GaN HEMTなどのエンハンスメント型パワーデバイス、リーク電流やタ―ンオン電圧の低いショットキ―パワーダイオードなども製作している。