レーザーテック、ウェハバンプ検査測定装置「BIM300」を発表

また、積層方法では、チップ同士の積層(Chip-on-Chip)、チップとウェハの積層(Chip-on-Wafer)、ウェハ同士の積層(Wafer-on-Wafer)の順に生産性は高くなるが、重ね合わせる面積が大きくなるため、TSV露出量やバンプ形状均一性の管理基準もこの順で厳しくなる。この他、COW、 WOWでは外周部のクラックやチップ破損に対する要求もより厳しくなる。

今回発表の「BIM300」はこのような課題に対応すべく開発された製品である。独自の工業用レーザ顕微鏡の基本技術に高精度XYステージを組み合わせることにより、ウェハ表面の高解像度観察、TSVおよびバンプの高さ・幅・形状の高精度測定を実現している。

なお、レーザーテックでは同装置について、バンプ形成プロセスの最適化や、ウェハ外周部の検査を含めた薄化プロセスの条件最適化などに適している。また、TGV(Through Glass Via)のめっきパターン形状測定にも利用できるとコメントしている。