EVG、パワーデバイスやMEMS向けに常温ウェハ接合装置を発表

これには、パーティクル汚染と自然酸化膜の効果的な除去も含まれる。これらは、接合された材料間に、十分な接合強度と導電性を持たせるために必要不可欠となっている。

同装置は、これらの課題に対応することができる。具体的には、プラットフォームにシームレスに統合された専用のComBond活性化モジュール(CAM)により、ウェットケミカルエッチングの代わりに、エネルギー粒子を基板表面に照射することで、汚染および酸化膜のない接合界面を実現できる。また、高真空プロセス環境での動作および接合時に、前処理されたウェハの再酸化を防止する。この他、最大5つのモジュールで構成でき、R&DおよびHVMアプリケーションの両方をサポートする並列処理が可能なのに加え、8インチ(200mm)までのウェハサイズに対応するとしている。