Infineon、低スイッチング周波数に最適化された低飽和電圧のIGBTを発表

これらにより、低スイッチング周波数アプリケーションのシステムで、効率と信頼性が向上し、小型化が実現するという。

なお、同ファミリは業界標準の3ピンTO-247パッケージ製品が第1弾として発表される。さらに、広範囲な効率化の要求されるアプリケーションを対象に、4ピンTO-247ケルビンエミッタパッケージも提供される。標準的な3ピンTO-247と4ピンTO-247のスイッチング損失を比較すると、20%低減できる。このため、「L5」と4ピンTO-247パッケージを組み合わせることで、最高水準の低導通損失と低スイッチング損失が得られることになるという。また、シングルIGBTとしての提供と、同社の超高速シリコンダイオードの「Rapid 1」と「Rapid 2」との同梱の形式により、30Aと75Aの電流クラスで提供される。そして、4ピンTO-247ケルビンエミッタパッケージ版は、75Aの電流クラスで提供される。