用途に応じた4種類のプロセスを用意 - GLOBALFOUNDRIES、22nm FD-SOIの提供を開始

●28nmのシリコンプロセス比で同等のトータルコストを提供

GLOBALFOUNDRIES(GF)は7月13日(独時間)、22nm世代の完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ(FD-SOI)プロセスとして「22FDxプラットフォーム」を発表した。これに関するプレゼンテーションなどは7月14一時点では一切存在せず、あくまでもプレスリリースベースでの話ではあるが、電話会議の形で同社のGregg Bartlett氏(SVP, CMOS Platform Business Unit)から説明および質疑応答を受ける事が出来たので、内容をまとめてお届けしたい。

今回同社が提供するのは、22nmのFD-SOIベースの4種類のプロセスである。いずれもトランジスタそのものは従来のプレナー型であり

22FD-ulp(Ultra Low Power):Forward/Backward Body Biasを利用する事で、最低0.4V駆動での動作が可能となっている。平均して28nm HKMGプロセスと比較して50%、最大で70%もの消費電力削減が可能とする。
22FD-uhp(Ultra High Performance)