AMATが超臨界流体を用いた次世代ウェハ乾燥技術を開示 - 半導体洗浄技術国際シンポジウム(後編)

(前編はコチラ)

○プロセスの微細化で回路パターン倒壊が続出

今回の半導体洗浄技術国際シンポジウムで最も注目されたのは「ウェハ乾燥」のセッションである。先端の超微細プロセスを採用した半導体デバイス製造では、ウェハ洗浄に使用する薬液や純水の表面張力によりアスペクト比の高い超微細構造が倒壊する問題が、世界中の半導体製造現場で顕在化しているためである。

その一例を図1に示す。図1(a)はFEOL(Front End of Line:トランジスタ形成)工程におけるSTI(Shallow Trench Isolation:極浅トレンチによる素子分離)エッチング後のパターン倒壊、(b)は20段以上積み上げた3次元NAND型フラッシュメモリのパターン倒壊、(c)は、BEOL(多層配線)工程におけるlow-k層間絶縁膜構造の倒壊、(d)はDRAMの円柱状キャパシタ構造の倒壊を示している。このほか、IntelなどのロジックLSIメーカーや先端ファウンドリでは3次元Finトランジスタなども問題が山積である。例えばIntelではTri-gateの高アスペクト比のFin構造が癒着し、その対策が迫られている。