くらし情報『NICTなど、シリコンCMOS集積回路によりテラヘルツ波を用いた無線技術を開発』

2016年2月1日 17:10

NICTなど、シリコンCMOS集積回路によりテラヘルツ波を用いた無線技術を開発

NICTなど、シリコンCMOS集積回路によりテラヘルツ波を用いた無線技術を開発
広島大学、情報通信研究機構(NICT)、パナソニックは2月1日、シリコンCMOS集積回路により最大毎秒100ギガビットを超える伝送速度でデジタル情報の無線伝送を可能とする、テラヘルツ波(300GHz帯)を用いた無線送信技術を開発したと発表した。

同成果は、1月31日~2月4日にサンフランシスコで開催されている国際固体素子回路会議「ISSCC (International Solid-State Circuit Conference) 2016」にて発表およびデモンストレーション展示される。

テラヘルツ波帯は、一般にはまだ利用されていない新たな周波数資源だが、これを用いた無線システムは、広い周波数帯域を利用可能で超高速通信に優れているという特長がある。テラヘルツ帯を用いた無線通信技術が広く普及するために、デジタル信号処理回路との組み合わせや高速化に必須となる多値変調回路との集積化が容易なシリコンCMOS集積回路によりテラヘルツ帯信号の無線伝送を可能とする技術が望まれていた。

しかし、多値変調を用いる通信システムでは、局部発振信号の周波数帯を搬送波の周波数の近くに設定する必要があり、最大発振周波数が300GHzに満たないシリコントランジスタを用いたシリコンCMOS集積回路でこの方式をとる場合、十分な局部発振信号が得られず、300GHz帯の無線通信システムを構成することは困難だった。

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