反復UIS/短絡条件下におけるMOSFETの過渡接合部温度の評価手法

●MOSFETのダイサイズの縮小がもたらす設計問題に対するリスク評価手法とは?
パワーMOSFETは数十年にわたってエレクトロニクス設計の基礎として使用され、さまざまなアプリケーションでスイッチング機能を実現する手段として活用されており、簡易型トランジスタ・デバイスを置き換えてきました。

多くの場合、MOSFETはシステム設計の大電力セクションを制御および安定化するために使用されています。技術の進歩と経済的な圧力が原因で、より小型で集積度が高く、よりノイズが少なく、コスト効率に優れたMOSFETが市場に投入される傾向が続き、体積が大きく効率のよくない旧世代の製品を置き換えてきました。オン抵抗(RdsON)が同じ場合、トレンチ構造を採用したデバイスは、プレーナ構造を採用した従来型デバイスに比べてサイズが半分以下で済みます。効率とコストの改善の結果、より小型パッケージで、より利益マージンが優れた製品を実現できるようになります。したがって、製品はより小型の匡体に収容できるようになり、利用者にとって魅力的になります。ただし、一部のエンジニアにとっては、ダイ・サイズの縮小は設計に問題をもたらすことを意味します。