カーエレクトロニクスの進化と未来 (71) Infineon、HEV/EV用のIGBTモジュールの次世代版を開発中

ドイツのInfineon Technologiesがハイブリッドカー(HEV)/電気自動車(EV)用のIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)モジュールの高効率化を進めている。IGBTはシリコンで最も電流容量のとれるトランジスタである。IGBTチップとダイオードを2個ずつ集積したモジュールをハーフブリッジICとして、新型パッケージ(Infineonは第3世代のパッケージと位置付ける)を開発中だ。2016年には量産用パッケージとして登場する。

同社は、これまでIGBTやSiCなどパワー半導体モジュールのパッケージとして、HEV/EV向けにHybridPACK 1、HybridPACK 2を開発してきた。開発中のHybridPACK Drive(図1)は、現世代のHybridPACK 2と比べて、同じ性能を得るなら30%小型にできる。寄生インダクタンスは従来の14nHよりも4割以上低い10nH未満を得ている。

しかもこれまでのHybridPACKと同様、PressFITピンと呼ばれるドライブ回路用のピンをプリント回路基板に簡単に数秒で差し込めるように使い勝手も良い。加えて、リード端子は従来のネジ式に替えて、高速のウェルディングで圧着できるように平たい銅板端子に代えた。