カーエレクトロニクスの進化と未来 (71) Infineon、HEV/EV用のIGBTモジュールの次世代版を開発中

寄生インダクタンスが大きいと、スイッチングオンからオフ、または過渡電圧を発生するためノイズの元となる。従来のHybridPACk 2だと14nHもある寄生インダクタンスはHybridPACK Driveでは、10nH未満になるとしてノイズを削減できる。

このモジュールの試作品はすでに出来ているが、その製品の発売は2016年を予定している。このモジュールパッケージに搭載するパワー半導体はもちろんIGBTだが、SiCやGaNでもかまわない。すでにSiCのJFETをHybridPACKに搭載して出荷した実績もある。